ترانزستورات RF MOSFET BLM10D3438-35ABZ

أحصل على آخر سعر

أدني كمية الطلب:

الآن الاتصال

وصف المنتج

سمات المنتج

التعبئة والتغليف والت...

وصف المنتج

سمات المنتج

نموذج: BLM10D3438-35ABZ BLM10D3438-35AB

علامة تجارية: امبليون

التعبئة والتغليف والت...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

وصف المنتج

الموديل: BLM10D3438-35ABZ

الشركة المصنعة: امبليون

نوع المنتج: مضخم طاقة LDMOS ثلاثي المراحل غير متماثل بالكامل Doherty MMIC RF، مُحسّن لنطاق 3.4-3.8 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي 5G NR n78 والنطاق الرئيسي 4G TDD-LTE 3.5 جيجا هرتز) ومحطة قاعدة ماكرو وتطبيقات MIMO الضخمة، مما يحقق توازنًا ممتازًا بين طاقة الإخراج العالية 35 وات والكفاءة والخطية مع تقنية LDMOS المتقدمة، التي تتميز بمقسم إدخال متكامل ومجمع إخراج و شبكة مطابقة مسبقًا لتصميم واجهة RF مبسطة

المواصفات الرئيسية

Parameter	Specification
Frequency Range	3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)
Output Power at 1dB Compression	45.4dBm (35W CW, at 28V supply, 3600MHz, pulsed CW measurement, δ=10%, tp=100μs)
Typical Power Gain	33.4 dB (at 28V supply, 3600MHz, pulsed CW signal), 33 dB (at 26V supply, 37dBm output, 3600MHz, 1-carrier LTE signal)
Typical Drain Efficiency	41% (at PL=37dBm/5W, 1-carrier LTE signal, PAR=7.6dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency	47% (at PL=PL(3dB), 3600MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	41-42 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V), supporting flexible bias optimization
Package Type	SOT1462-1 (PQFN-8x8-20), 8×8mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals, excellent thermal performance design
Port Characteristics	Internally pre-matched to 50Ω input and 30Ω output, simplifying RF PCB design and reducing external component count
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages, fully integrated design reduces system complexity
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.2 K/W (typical value, at PL=5W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.6dB)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 3800MHz, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB), industry-leading robustness design
Gain Flatness	Only 0.9dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems, reducing the need for external equalization circuits
Video Bandwidth	400MHz (at 34.0dBm output power, 2-tone CW signal, IMD3=-25dBc, 3600MHz), supporting ultra-wideband signal transmission, suitable for 5G-Advanced applications
ESD Protection	CDM Class C2A (500V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability during production and application, reducing the risk of electrostatic damage
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.1GHz to 6.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band without self-oscillation risk

الميزات والفوائد

يعتمد عملية LDMOS المتقدمة من Ampleon، مما يحقق توازنًا بين طاقة الإخراج فائقة الجودة 35 وات وكفاءة عالية بنسبة 41%، وهو مثالي لإشارات 5G عالية معدلة PAPR (PAR=7.6dB)، ويلبي متطلبات الخطية الصارمة لمحطة قاعدة الماكرو وأنظمة MIMO الضخمة.
توفر بنية Doherty غير المتماثلة ثلاثية المراحل والمتكاملة تمامًا قدرة ممتازة على تصحيح التشوه الرقمي المسبق (DPD)، مما يضمن نسبة طاقة القناة المجاورة (ACPR) المتميزة التي تصل إلى -30 ديسيبل بعد DPD، وتلبية المواصفات الخطية الصارمة 5G NR ودعم تطبيقات تجميع الموجات الحاملة المتعددة (CA) لزيادة سعة النظام.
يعمل التصميم المتكامل تمامًا (المقسم المدمج والمجمع ومراحل الشبكة وبرنامج التشغيل المطابق مسبقًا) على تبسيط تصميم RF PCB إلى حد كبير، ويقلل من عدد المكونات الخارجية، ويسرع وقت طرح المحطة الأساسية في السوق، ويقلل من تكلفة النظام وإشغال المساحة، ويحسن القدرة التنافسية للمنتج.
يتيح التحكم المستقل في انحياز الموجة الحاملة والذروة التحسين المرن للأداء الخطي والكفاءة في ظل ظروف تشغيل مختلفة، وهو مناسب لأنظمة الاتصالات متعددة المعايير (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)، ويدعم ضبط الطاقة الديناميكي، ويحسن كفاءة طاقة النظام ويقلل تكاليف التشغيل.
تسامح عدم تطابق الأحمال الرائد في الصناعة، قادر على تحمل VSWR=10:1 خلال جميع المراحل، وتحسين قوة النظام في البيئات المعقدة، وتقليل تكاليف صيانة المحطة الأساسية، وإطالة عمر خدمة المعدات، ومناسب للنشر في البيئات الخارجية القاسية.
كسب تسطيح واسع للغاية (فقط 0.9 ديسيبل ضمن نطاق 3400-3800 ميجا هرتز) وعرض نطاق فيديو واسع للغاية 400 ميجا هرتز، مناسب لأنظمة الاتصالات ذات النطاق العريض للغاية، مما يقلل الحاجة إلى دوائر معادلة خارجية، وتحسين موثوقية النظام ومرونة التصميم، وتبسيط سير عمل تصميم الواجهة الأمامية للترددات اللاسلكية.
تعمل دائرة حماية ESD المتكاملة (CDM 500V، HBM 500V) على تحسين موثوقية الجهاز أثناء الإنتاج والتطبيق، مما يقلل من مخاطر التلف الكهروستاتيكي، ويحسن إنتاجية الإنتاج، ويتكيف مع التصنيع الآلي واسع النطاق، ويقلل تكاليف التصنيع.
حزمة PQFN المحسنة حراريًا مع مقاومة حرارية من الوصلة إلى الحالة تصل إلى 3.2 كيلو وات، مما يعمل على تحسين أداء تبديد الحرارة بشكل فعال، ودعم تصميمات كثافة الطاقة الأعلى، والتكيف مع محطة قاعدة الماكرو ومتطلبات تبريد مساحة MIMO الضخمة، مما يطيل عمر خدمة الجهاز ويحسن استقرار النظام.
يدعم تطبيقات عرض النطاق الترددي للفيديو (VBW) واسعة النطاق، ومناسبة لأنظمة المحطات الأساسية من الجيل التالي التي تدعم إشارات النطاق العريض، وتلبي احتياجات تطور شبكة 5G المستقبلية (على سبيل المثال، 5G-Advanced)، وحماية استثمارات العملاء وتمديد دورة حياة المنتج.
متوافق مع RoHS، ومناسب لبناء ونشر البنية التحتية العالمية للاتصالات 5G، مما يساهم في تطوير الاتصالات الخضراء، وتقليل البصمة الكربونية وتلبية متطلبات التنمية المستدامة.

التطبيقات

وحدات تضخيم الطاقة في المرحلة النهائية للتردد اللاسلكي لمحطات القاعدة الكلية 5G NR n78 (3.4-3.8 جيجا هرتز)، تدعم متطلبات الطاقة العالية والخطية العالية، ومناسبة لسيناريوهات التغطية الواسعة في المناطق الحضرية والضواحي، مما يحسن جودة تغطية الشبكة وقدرتها.
وحدات الواجهة الأمامية للترددات اللاسلكية لمحطات قاعدة MIMO (mMIMO) الضخمة، تدعم كثافة الطاقة العالية ومتطلبات الكفاءة العالية، وتقلل من استهلاك طاقة المحطة الأساسية، وتتكيف مع تصميمات صفيف الهوائيات المتعددة، وتحسين قدرة النظام والكفاءة الطيفية لتلبية متطلبات معدل البيانات المرتفع لشبكة 5G.
مشاريع ترقية وتجديد لمحطات قاعدة النطاق 4G TDD-LTE 3.5 جيجا هرتز، وتحسين تغطية الشبكة وسعتها، ودعم الانتقال السلس إلى شبكات 5G، وحماية استثمارات المشغلين الحالية وتمكين تطور الشبكة.
مضخمات طاقة المرحلة النهائية لأنظمة الاتصالات التجميعية متعددة الموجات (CA)، وتلبية متطلبات إشارة النطاق العريض للغاية، وزيادة سعة النظام، ودعم تطبيقات النطاق الترددي العالي مثل الفيديو عالي الدقة، والألعاب السحابية، وVR/AR، وتلبية احتياجات المستخدمين المتزايدة من البيانات.
أنظمة نقل الترددات اللاسلكية لاتصالات الشبكات الخاصة وإنترنت الأشياء الصناعي (IIoT)، التي تتطلب تطبيقات النطاق العريض والموثوقية العالية، وتدعم نشر البيئة الصناعية مثل التصنيع الذكي والشبكة الذكية والنقل الذكي.
وحدات تضخيم الطاقة لمعدات الاتصالات المتوافقة متعددة المعايير (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)، مما يقلل تكاليف تطوير المعدات، ويسرع وقت طرحها في السوق، ويتكيف مع احتياجات التعايش الشبكي متعدد المعايير للمشغلين، ويحسن تنوع المعدات.
مشاريع ترقية وتجديد البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية، خاصة لنشر شبكات 5G عالية التردد، مما يساعد المشغلين على نشر شبكات 5G بسرعة، وتحسين تجربة المستخدم، وتلبية احتياجات تطوير الاقتصاد الرقمي، وتعزيز التحول الرقمي الاجتماعي.

المنتجات الساخنة