Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

العربية

WhatsApp:
+86 17287775445

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Select Language
العربية
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> ترانزستور طاقة الترددات اللاسلكية> طاقة عالية التردد/VHF LDMOS> BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

أحصل على آخر سعر
أدني كمية الطلب:1
الآن الاتصال
وصف المنتج
سمات المنتج
التعبئة والتغليف والت...
وصف المنتج
سمات المنتج

نموذج: BLC10G18XS-602AVT BLC10G18XS-602AVTZ BLC10G18XS-602AVTY

علامة تجارية: امبليون

التعبئة والتغليف والت...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

استفسر عن كلمة المرور
وصف المنتج
طاقة عالية التردد/VHF LDMOS
BLC10G18XS-602AVT عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF عالي الأداء تم تصنيعه بواسطة Ampleon، وهو مصمم لتطبيقات المحطة الأساسية الكلية في نطاق التردد 1805-1880 ميجا هرتز (نطاق 1.8 جيجا هرتز). فهو يوفر طاقة ذروة عالية، وكسبًا عاليًا، وكفاءة عالية، مُحسّنًا لأنظمة البنية التحتية اللاسلكية 4G LTE و5G NR.
المواصفات الرئيسية
  • الشركة المصنعة: أمبليون (هولندا)
  • رقم الجزء: BLC10G18XS-602AVT
  • نطاق التردد: 1805 ميجا هرتز إلى 1880 ميجا هرتز
  • ذروة انتاج الطاقة (PPEAK): 720 واط (عند 30 فولت)
  • جهد إمداد التصريف (VDS): 30 فولت
  • اكتساب الطاقة (جي بي): 16 ديسيبل (نموذجي)
  • كفاءة التصريف (ηD): 49% (نموذجي)
  • الحزمة: SOT1258-4 (ACP3-1230-6)، حزمة السيراميك تجويف الهواء
  • التكنولوجيا: LDMOS (السيليكون)
  • التطبيق: مضخمات الطاقة النهائية للمحطة الأساسية الكلية (PAs)
  • برنامج التشغيل الموصى به: B11G1822N60D
  • الحالة : قيد الإنتاج
سمات
  1. كثافة الطاقة العالية: طاقة الذروة 720 وات عند 30 فولت، مما يتيح تصميمات PA الكلية عالية الإخراج.
  2. كفاءة عالية: كفاءة التصريف النموذجية بنسبة 49% تقلل من استهلاك الطاقة والحمل الحراري.
  3. مكاسب عالية: كسب 16 ديسيبل يبسط تشكيلة PA ويقلل مراحل السائق.
  4. Doherty-Optimized: سعة خرج منخفضة لتعزيز الكفاءة في تكوينات مضخم Doherty.
  5. متانة عالية: متانة ممتازة في مواجهة ظروف VSWR (نسبة موجة الجهد الثابت)، مما يضمن الموثوقية في عمليات النشر في العالم الحقيقي.
  6. مقاومة حرارية منخفضة: توفر حزمة ACP3-1230-6 ثباتًا حراريًا فائقًا، مما يحافظ على الأداء في درجات الحرارة المرتفعة.
  7. متوافق مع RoHS: صديق للبيئة ومتوافق مع توجيهات الاتحاد الأوروبي بشأن RoHS.
التطبيقات
  • المحطات الأساسية 4G LTE و5G NR Macro: المراحل النهائية لمضخم الطاقة لأنظمة الاتصالات اللاسلكية ذات النطاق 1.8 جيجا هرتز.
  • البنية التحتية اللاسلكية: تضخيم التردد اللاسلكي عالي الطاقة لتغطية الشبكة الخلوية وتوسيع السعة.
  • مكبرات الصوت Doherty: مُحسّنة لبنيات Doherty PA عالية الكفاءة المستخدمة في المحطات الأساسية الحديثة.
الحزمة والميكانيكية
  • نوع العبوة: سيراميك تجويف الهواء (ACP) SOT1258-4
  • الأبعاد: 32.25 × 9.78 × 4.0 ملم (الطول × العرض × الارتفاع)
  • المحطات الطرفية: أسلاك نورسية لسهولة التركيب على السطح
المنتجات الساخنة
أمبليون BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS
أمبليون BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

الآن الاتصال
BLF974P BLF974PU LDMOS عالي الطاقة
BLF974P BLF974PU LDMOS عالي الطاقة

الآن الاتصال
BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS
BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

الآن الاتصال
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF MOSFET LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF MOSFET LDMOS

الآن الاتصال
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF Mosfet LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF Mosfet LDMOS

الآن الاتصال
ترانزستورات RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT
ترانزستورات RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

الآن الاتصال
BLC10G18XS-301AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-301AVT RF MOSFET LDMOS

الآن الاتصال
BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS
BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS

الآن الاتصال
BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

الآن الاتصال
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

الآن الاتصال
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> ترانزستور طاقة الترددات اللاسلكية> طاقة عالية التردد/VHF LDMOS> BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
كونسنا
陈

Mr. 陈

اترك رسالة
الآن الاتصال
رفض
الآن الاتصال
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
WhatsApp:
+86 17287775445
الالكتروني:
870630590@qq.com
الموقع:
http://ar.ldmoscn.com
حق النشر © 2026 Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.حق الطبعة الملكية
ارسل السؤال
*
*

يرجى تركنا رسالة

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

تحميل المرفق
إرسال