جميع المنتجات

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-552AVT هو ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G18XS-552AVT هو ترانزستور طاقة Doherty غير متماثل من الجيل العاشر من LDMOS من Ampleon (هولندا)، مُحسّن لمضخمات الطاقة النهائية للمحطة الأساسية 4G/5G في النطاق 1805-1880 ميجاهرتز (1.8 جيجاهرتز). إنه...

BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G22XS-600AVT هو ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G22XS-600AVT عبارة عن ترانزستور طاقة Doherty غير متماثل من الجيل العاشر من LDMOS بواسطة Ampleon، ويعمل عند 2110 ~ 2170 ميجاهرتز. تم تحسينه لمحطات قاعدة الماكرو 4G/5G ومضخمات الطاقة النهائية mMIMO، فهو...

B10G2527N10DLZ الترددات اللاسلكية Mosfet MMIC

مرحلتين دوهرتي MMIC B10G2527N10DL عبارة عن مضخم صوت Doherty MMIC متكامل على مرحلتين يعتمد على تقنية LDMOS الحديثة من Ampleon، وهو مُحسّن لمحطات القاعدة متوسطة النطاق 2500–2700 ميجا هرتز (2.5–2.7 جيجا هرتز) 5G NR، وأنظمة اتصالات متعددة الحاملات،...

C4H2350N10Z ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم RF

الموديل: C4H2350N10Z (الطراز الأساسي: C4H2350N10) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة RF من نتريد الغاليوم (GaN) (تصميم ذو بوابة واحدة، مُحسّن لتطبيقات النطاق العريض) المواصفات الرئيسية الميزات والفوائد تغطية عرض النطاق الترددي واسعة...

C4H2327N55PZ RF MOSFET جان

ترانزستور الطاقة GaN الموديل: C4H2327N55Pz (الطراز القياسي: C4H2327N55PZ) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة Doherty RF المعبأ من نتريد الغاليوم (GaN) (الأمثل لتطبيقات المحطة الأساسية ذات النطاق العريض ذات النطاق العريض 2.3-2.69 جيجا...

BLM9D2527-09AMZ ترانزستور الطاقة LDMOS

2-مرحلة دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D2527-09AMZ (الطراز القياسي: BLM9D2527-09AM، Z يشير إلى تغليف الشريط والبكرة) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع من مضخم طاقة Doherty MMIC RF بقوة 28 فولت LDMOS ثنائي المرحلة (مُحسّن لتطبيقات مرحلة...

BLM9D2324-08AMZ AMPLEON مضخم الترددات اللاسلكية

مرحلتين دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D2324-08AMZ (الطراز القياسي: BLM9D2324-08AM، Z يشير إلى تغليف الشريط والبكرة) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع من مضخم طاقة Doherty MMIC RF بقوة 28 فولت LDMOS ثنائي المرحلة (مُحسّن لتطبيقات مرحلة...

مضخم طاقة الترددات اللاسلكية B10G3336N16DL

B10G3336N16DL هو Doherty MMIC ذو مرحلتين الموديل: B10G3336N16DL الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل العاشر 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.3-3.6 جيجا هرتز (يغطي نطاقات التردد العالي 5G NR...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

BLM9D3842-16AM LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D3842-16AMZ الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.8-4.2 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي عالي التردد 5G...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

BLM9D3438-16AM LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D3740-16AM الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.7-4.0 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي عالي التردد 5G NR...

BLP05H9S500P RF MOSFET LDMOS

الموديل: BLP05H9S500P الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة LDMOS يعمل بالدفع والسحب، مُحسّن لنطاق ISM من 423 إلى 443 ميجاهرتز (الترددات الأساسية للتطبيقات الصناعية والعلمية والطبية، التي تغطي الاتصالات اللاسلكية السائدة بتردد 433...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF بقدرة 250 واط تم تصنيعه بواسطة Ampleon، وهو مصمم خصيصًا لتطبيقات الموجة المستمرة عالية الطاقة (CW) في نطاق 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز). يتم تعبئتها في عبوة بلاستيكية عالية الأداء...

CLL3H0914LS-700U 700 واط GaN SiC HEMT

رقم الجزء: CLL3H0914LS-700U الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: نطاق L، 700 وات GaN-SiC HEMT (ترانزستور كربيد السيليكون عالي الحركة من نيتريد الغاليوم)، شبكة استقرار داخلية متطابقة مسبقًا، 0.9-1.4 جيجا هرتز، حزمة ذات حواف بدون أذن، رادار نبضي /...

BLP2425M10S250PY ترانزستور الطاقة LDMOS

BLP2425M10S250P عبارة عن ترانزستور طاقة RF قائم على LDMOS بقوة 250 واط تم تصنيعه بواسطة Ampleon، وهو مصمم لتطبيقات الموجة المستمرة عالية الطاقة (CW) في نطاق التردد 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز). الميزات الرئيسية الطاقة العالية: طاقة...

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

2-مرحلة دوهرتي MMIC الموديل: B11G3742N81D الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل الحادي عشر من LDMOS ثنائي القسم 28 فولت، 3 مراحل، مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.7-4.2 جيجا هرتز (يغطي نطاق 5G NR n77 عالي التردد)...

أمبليون BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

BLP15H9S100G ترانزستور الطاقة LDMOS أنظمة الاتصالات الإذاعية أجهزة إرسال راديو AM/FM، البث الرقمي DAB/DRM، أجهزة راديو اتصالات الطوارئ، معدات الاتصالات الأرضية البحرية والطيران، مكررات الإشارة. معدات الترددات اللاسلكية الصناعية آلات تسخين الترددات...

ترانزستورات RF MOSFET BLC2425M10LS250

BLC2425M10LS250 عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF بقدرة 250 واط تم تصنيعه بواسطة Ampleon، وهو مصمم لتطبيقات الموجة المستمرة عالية الطاقة (CW) في نطاق 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز). إنه موجود في عبوة بلاستيكية عالية الأداء (SOT1270-1 /...

BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

BLM9D3438-16AM LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D3438-16AMZ الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.4-3.8 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي 5G NR n78 ونطاق...

BLA9H0912LS-1200PG LDMOS ترانزستور الطاقة لإلكترونيات الطيران

الموديل: BLA9H0912LS-1200PG الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور الطاقة النبضي LDMOS، مُحسّن لنطاق إلكترونيات الطيران 960-1215 ميجاهرتز (يغطي الترددات الأساسية لأنظمة الملاحة والمراقبة والاتصالات في إلكترونيات الطيران)، مما يحقق توازنًا...

B10G3741N55DZ الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

B10G3741N55D LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC الموديل: B10G3741N55D الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل العاشر 50 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF غير المتماثل المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.7-4.1 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي عالي...

BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC

الموديل: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: GEN9 LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF غير المتماثل المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.4-3.8 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي 5G NR n78 والنطاق الرئيسي 4G TDD-LTE 3.5...

BLM2425M9S20Z LDMOS مرحلتين للطاقة MMIC

تحسين نطاق ISM: مصمم خصيصًا لنطاق ISM 2.45 جيجا هرتز، ويتكيف بشكل مثالي مع تطبيقات الطبخ الصناعية والعلمية والطبية والميكروويف، ويتوافق داخليًا مع 50 أوم، مما يبسط تصميم النظام. بنية عالية الكسب على مرحلتين: كسب طاقة نموذجي يبلغ 27 ديسيبل، وتصميم...

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

إن BLP15M9S70GZ، الذي توفره شركة Ampleon، عبارة عن ترانزستور طاقة تردد راديو LDMOS متعدد الأغراض مع طاقة خرج 70 وات. إنها تعتمد عملية تصنيع LDMOS عالية الجهد من الجيل التاسع 32 فولت. يوجد الجهاز في عبوات تثبيت سطحية صغيرة الحجم SOT-1483-1...

BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF MOSFET LDMOS

تم تصميم BLP15M9S100GZ باستخدام تقنية LDMOS عالية الجهد من الجيل التاسع 32 فولت، وهو عبارة عن ترانزستور LDMOS متعدد الوظائف بقدرة 100 وات من Ampleon. معبأة في شكل تثبيت سطحي صغير SOT-1483-1/TO-270-2F-2، وهي تغطي نطاق التردد العالي حتى 1500 ميجا هرتز...