BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

الميزات الرئيسية

• أداء التردد اللاسلكي: يعمل بسرعة 1805-2200 ميجاهرتز، ويوفر طاقة خرج نموذجية تبلغ 60 وات (47.8 ديسيبل ميلي متر) مع كسب نموذجي ≥17.5 ديسيبل، وجهد تصريف 28 فولت (كحد أقصى 65 فولت)، وكفاءة تصريف نموذجية ≥30%، ويدعم خطية الموجات الحاملة المتعددة وخطية DPD، وهو مثالي لمتطلبات الخطية الصارمة لمحطة قاعدة 4G/5G.
• الهيكل والحزمة: تكوين المصدر المشترك للترانزستور المزدوج، حزمة التركيب الأساسية SOT1275-1 (DFM-6) مع أداء حراري ممتاز لتصميمات كثافة الطاقة العالية؛ تعمل شبكة مطابقة المدخلات المتكاملة على تبسيط الدوائر الخارجية.
• الموثوقية والحماية: حماية ESD مدمجة، تتحمل درجة حرارة التوصيل العالية وعدم تطابق الحمل، وتعزز دبابيس الفصل أداء عرض النطاق الترددي للفيديو، وثبات حراري ممتاز، ومتوافقة مع RoHS.
• توافق التصميم: يدعم أوضاع الموجة المستمرة (CW) والنبض، المتوافقة مع دوائر Doherty المتماثلة/غير المتماثلة والطوبولوجيات أحادية الطرف، ومناسبة لمشغل المحطة الأساسية للنطاق 1.8 جيجا هرتز/2.1 جيجا هرتز/2.2 جيجا هرتز ومكبرات الصوت في المرحلة النهائية.

التطبيقات النموذجية

• مشغل الترددات اللاسلكية للمحطة الأساسية 4G/5G/مكبرات الصوت للمرحلة النهائية (نطاق 1805–2200 ميجاهرتز)
• وحدات تضخيم الطاقة Doherty عالية الكفاءة لأنظمة الاتصالات W-CDMA/LTE/5G NR متعددة الموجات
• 1.8-2.2 جيجا هرتز البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية أجهزة إرسال الترددات اللاسلكية
• أجهزة الإرسال التلفزيونية وتطبيقات الترددات اللاسلكية الصناعية (نطاقات ISM)