BLP15H9S100Z BLP15H9S100 أمبليون LDMOS

النسخة التفصيلية الكاملة

• طاقة الإخراج: 100 واط سي امبليون
• نطاق التردد: 10 كيلو هرتز ~ 2 جيجا هرتز أمبليون
• جهد الإمداد: 50 فولت
• كسب الطاقة النموذجي: 19 ديسيبل (عند 1.5 جيجا هرتز)
• كفاءة التصريف النموذجية: 60% (عند 1.5 جيجا هرتز)
• الحد الأقصى لجهد مصدر التصريف: 106 فولت
• نوع العبوة: SOT-1482-1 حامل سطحي (4 دبابيس، وسادة حرارية مكشوفة)

1. تغطية تردد واسعة للغاية من 10 كيلو هرتز إلى 2 جيجا هرتز، مناسبة لسيناريوهات التطبيقات المتعددة أمبليون
2. متانة استثنائية مع إمكانية عدم تطابق الحمل VSWR بنسبة 20:1، مما يضمن استقرار النظام
3. حماية متكاملة من التفريغ الكهروستاتيكي (2 كيلو فولت HBM)، مما يعزز موثوقية المنتج وعمره الافتراضي
4. تعمل خصائص الكسب والكفاءة العالية على تبسيط تصميم دائرة مكبر الصوت وتقليل استهلاك طاقة النظام
5. نطاق واسع لدرجة حرارة التشغيل (-40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية)، قابل للتكيف مع البيئات الصناعية القاسية
6. تعمل حزمة SMD المدمجة (SOT-1482-1) على تسهيل الإنتاج الضخم وتحسين تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور

• أجهزة إرسال الاتصالات الإذاعية (الرقمية / التناظرية) أمبليون
• معدات التدفئة الصناعية RF (لحام البلاستيك، المعالجة الحرارية للمعادن) أمبليون
• وحدات طاقة الترددات اللاسلكية الطبية (الاستئصال بالترددات الراديوية، علاج الأورام)
• أنظمة الاتصالات الفضائية
• مكبرات الصوت عالية الطاقة لنطاق ISM (2.45 جيجا هرتز، وما إلى ذلك)
• مراحل تشغيل أداة اختبار التردد اللاسلكي
• دوائر ما قبل السائق للمحطة الأساسية اللاسلكية