جميع المنتجات

BLA9H0912L-250G LDMOS ترانزستور الطاقة لإلكترونيات الطيران

I. نظرة عامة على المنتج BLA9H0912L-250G عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF عالي الأداء من Ampleon. تم تصميمه خصيصًا لنطاق تردد إلكترونيات الطيران 960 ميجا هرتز ~ 1215 ميجا هرتز، فهو يوفر طاقة خرج نموذجية تبلغ 250 وات بكفاءة عالية وصلابة ممتازة وثبات...

100B102JW500XT 1000pf 1210 ±5% 500 فولت

I. نظرة عامة على المنتج 100B102JW500XT عبارة عن مكثف سيراميك متعدد الطبقات عالي الأداء يعمل بالترددات الراديوية/الميكروويف (MLCC) من سلسلة 100B Porcelain Superchip® بواسطة KYOCERA AVX (المعروفة سابقًا باسم American Technical Ceramics، ATC). يتميز...

100A2R0BW150XT 2pf 0505 ±0.1% 150V

I. نظرة عامة على المنتج 100A2R0BW150XT عبارة عن مكثف سيراميك متعدد الطبقات عالي الأداء يعمل بالترددات الراديوية/الميكروويف (MLCC) من سلسلة 100A Porcelain Superchip® بواسطة KYOCERA AVX (المعروفة سابقًا باسم American Technical Ceramics، ATC). يتميز...

100A240JW150XT 24pf 0505 5% 150V

رقم القطعة: 100A240JW150XT الشركة المصنعة: American Technical Ceramics (ATC)، إحدى شركات KYOCERA AVX نوع المنتج: جودة عالية، ESR منخفض، معامل درجة الحرارة P90 RF ومكثف سيراميك متعدد الطبقات للميكروويف (MLCC)، مكثف سيراميك عالي الكثافة من سلسلة ATC...

600S3R0BW250XT 3.0pf 0603 ±0.1% 250V

رقم الجزء: 600S3R0BW250XT الشركة المصنعة: American Technical Ceramics (ATC)، إحدى شركات KYOCERA AVX نوع المنتج: ESR منخفض للغاية، Q عالي، C0G/NP0 RF ومكثف سيراميك متعدد الطبقات للميكروويف (MLCC) الحزمة: 0603 (1608 متري) جهاز التثبيت على السطح (SMD)...

3.3PF 0603 ±0.1% 250 فولت

رقم القطعة: 600S3R3BT250XT الشركة المصنعة: American Technical Ceramics (ATC)، إحدى شركات KYOCERA AVX نوع المنتج: ESR منخفض للغاية، عالي الجودة، NPO/C0G RF ومكثف سيراميك متعدد الطبقات للميكروويف (MLCC) الحزمة: 0603 (1608 متري) جهاز التثبيت على السطح...

مكثف رقاقة سيراميك متعدد الطبقات للميكروويف

المعلومات الأساسية الشركة المصنعة: American Technical Ceramics (ATC)، إحدى شركات KYOCERA AVX نوع المنتج: ESR منخفض للغاية، عالي Q، NPO (C0G) RF ومكثف شرائح سيراميك متعدد الطبقات للميكروويف (MLCC) السلسلة: سلسلة 600S (الحجم القياسي EIA 0603) رقم...

BLF647P RF MOSFET LDMOS 32V LDMOST

الترجمة الإنجليزية BLF647P BLF647P عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF واسع النطاق بقدرة 200 واط تم إنتاجه بواسطة Ampleon (NXP سابقًا). يغطي نطاق تردد التشغيل الخاص به التردد العالي إلى 1500 ميجاهرتز، وهو مصمم بشكل أساسي لتطبيقات الترددات اللاسلكية...

جهاز الطاقة المتقدم LDMOS BLP15M9S70Z

رقم القطعة: أمبليون BLP15M9S70 نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF ذو قناة N، تقنية الجيل التاسع، مصدر 32 فولت، نطاق عريض (1 ميجا هرتز - 2 جيجا هرتز)، محسّن لمضخمات طاقة التردد اللاسلكي ISM/البث/الأغراض العامة. 1. المواصفات الرئيسية الشركة المصنعة:...

3.6PF 0603 ± 0.25pf 250 فولت

رقم الجزء:600S3R6CT250XT الشركة المصنعة: السيراميك الفني الأمريكي (ATC، الآن KYOCERA AVX) الفئة: مكثف سيراميكي متعدد الطبقات (MLCC) منخفض للغاية، عالي Q، NPO (C0G) للترددات اللاسلكية/الميكروويف تحديد السعة: 3.6 بيكو فاراد التسامح: ± 0.25 الجبهة...

مكثف رقاقة سيراميك متعدد الطبقات RF عالي الجودة

معلومات أساسية الشركة المصنعة: ATC (السيراميك الفني الأمريكي)، ماركة KYOCERA AVX نوع المنتج: مكثف رقاقة سيراميك متعدد الطبقات عالي الجودة RF السلسلة: سلسلة شرائح البورسلين الفائقة 100A رقم الجزء: 100A5R1BW150XT شرح رقم القطعة 100A: سلسلة مكثفات RF...

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-552AVT هو ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G18XS-552AVT هو ترانزستور طاقة Doherty غير متماثل من الجيل العاشر من LDMOS من Ampleon (هولندا)، مُحسّن لمضخمات الطاقة النهائية للمحطة الأساسية 4G/5G في النطاق 1805-1880 ميجاهرتز (1.8 جيجاهرتز). إنه...

BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G22XS-600AVT هو ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G22XS-600AVT عبارة عن ترانزستور طاقة Doherty غير متماثل من الجيل العاشر من LDMOS بواسطة Ampleon، ويعمل عند 2110 ~ 2170 ميجاهرتز. تم تحسينه لمحطات قاعدة الماكرو 4G/5G ومضخمات الطاقة النهائية mMIMO، فهو...

B10G2527N10DLZ الترددات اللاسلكية Mosfet MMIC

مرحلتين دوهرتي MMIC B10G2527N10DL عبارة عن مضخم صوت Doherty MMIC متكامل على مرحلتين يعتمد على تقنية LDMOS الحديثة من Ampleon، وهو مُحسّن لمحطات القاعدة متوسطة النطاق 2500–2700 ميجا هرتز (2.5–2.7 جيجا هرتز) 5G NR، وأنظمة اتصالات متعددة الحاملات،...

C4H2350N10Z ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم RF

الموديل: C4H2350N10Z (الطراز الأساسي: C4H2350N10) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة RF من نتريد الغاليوم (GaN) (تصميم ذو بوابة واحدة، مُحسّن لتطبيقات النطاق العريض) المواصفات الرئيسية الميزات والفوائد تغطية عرض النطاق الترددي واسعة...

C4H2327N55PZ RF MOSFET جان

ترانزستور الطاقة GaN الموديل: C4H2327N55Pz (الطراز القياسي: C4H2327N55PZ) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة Doherty RF المعبأ من نتريد الغاليوم (GaN) (الأمثل لتطبيقات المحطة الأساسية ذات النطاق العريض ذات النطاق العريض 2.3-2.69 جيجا...

BLM9D2527-09AMZ ترانزستور الطاقة LDMOS

2-مرحلة دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D2527-09AMZ (الطراز القياسي: BLM9D2527-09AM، Z يشير إلى تغليف الشريط والبكرة) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع من مضخم طاقة Doherty MMIC RF بقوة 28 فولت LDMOS ثنائي المرحلة (مُحسّن لتطبيقات مرحلة...

BLM9D2324-08AMZ AMPLEON مضخم الترددات اللاسلكية

مرحلتين دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D2324-08AMZ (الطراز القياسي: BLM9D2324-08AM، Z يشير إلى تغليف الشريط والبكرة) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع من مضخم طاقة Doherty MMIC RF بقوة 28 فولت LDMOS ثنائي المرحلة (مُحسّن لتطبيقات مرحلة...

مضخم طاقة الترددات اللاسلكية B10G3336N16DL

B10G3336N16DL هو Doherty MMIC ذو مرحلتين الموديل: B10G3336N16DL الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل العاشر 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.3-3.6 جيجا هرتز (يغطي نطاقات التردد العالي 5G NR...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

BLM9D3842-16AM LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D3842-16AMZ الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.8-4.2 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي عالي التردد 5G...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

BLM9D3438-16AM LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC الموديل: BLM9D3740-16AM الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل التاسع 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.7-4.0 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي عالي التردد 5G NR...

BLP05H9S500P RF MOSFET LDMOS

الموديل: BLP05H9S500P الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة LDMOS يعمل بالدفع والسحب، مُحسّن لنطاق ISM من 423 إلى 443 ميجاهرتز (الترددات الأساسية للتطبيقات الصناعية والعلمية والطبية، التي تغطي الاتصالات اللاسلكية السائدة بتردد 433...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF بقدرة 250 واط تم تصنيعه بواسطة Ampleon، وهو مصمم خصيصًا لتطبيقات الموجة المستمرة عالية الطاقة (CW) في نطاق 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز). يتم تعبئتها في عبوة بلاستيكية عالية الأداء...

CLL3H0914LS-700U 700 واط GaN SiC HEMT

رقم الجزء: CLL3H0914LS-700U الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: نطاق L، 700 وات GaN-SiC HEMT (ترانزستور كربيد السيليكون عالي الحركة من نيتريد الغاليوم)، شبكة استقرار داخلية متطابقة مسبقًا، 0.9-1.4 جيجا هرتز، حزمة ذات حواف بدون أذن، رادار نبضي /...