جميع المنتجات

BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

رقم الجزء: BLC9H10XS-600A الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل، مع مطابقة مدخلات 50Ω مدمجة، مُحسّن لمكبرات الصوت النهائية لمحطة قاعدة الماكرو 4G/5G دون 1 جيجاهرتز...

BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

رقم الجزء: BLC9H10XS-60PY الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل التاسع من LDMOS، ترانزستور طاقة متماثل 60 وات، 400-1000 ميجاهرتز فرعي 1 جيجاهرتز، مضخم خطي من الفئة AB، مرحلة نهائية متوسطة الطاقة للأغراض العامة/السائق (نسخة خالية من الرصاص من...

ترانزستورات RF MOSFET BLM9H0610S-60PG

رقم الجزء: BLM9H0610S-60PG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: LDMOS من الجيل التاسع عالي الجهد، MMIC طاقة ثنائي المرحلة، مع مطابقة على الرقاقة، مُحسّن لمشغل المحطة الأساسية الماكرو 4G/5G بتردد فرعي 1 جيجاهرتز أو مضخم الصوت النهائي للخلية الصغيرة....

BLM2425M7S60PY LDMOS مرحلتين للطاقة MMIC

BLM2425M7S60P عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF بقدرة 60 وات تم إطلاقه بواسطة Ampleon. اعتماد عملية الترددات اللاسلكية من الجيل M7، تم تطويره خصيصًا لتطبيقات الموجات المستمرة (CW) عالية الطاقة في نطاق 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز)....

BLM8G0710S-30PBG RF ترانزستور تأثير مجال الإشارة الصغيرة

رقم الجزء: BLM8G0710S-30PBG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل الثامن من LDMOS، ثنائي القسم MMIC للطاقة بمرحلتين، 700-1000 ميجاهرتز فرعي 1 جيجاهرتز، محرك خطي عالي فئة 30 وات / مضخم نهائي صغير للخلية (إصدار رئيسي من جناح نورس BLM8G0710S-30PB)....

BLC9H10XS-505AZ RF MOSFET LDMOS

رقم الجزء: BLC9H10XS-505AZ الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل، مع مطابقة مدخلات 50Ω مدمجة، مُحسّن لمضخم الصوت النهائي لمحطة قاعدة ماكرو فرعية 1 جيجا هرتز 4G/5G...

BLP9H10S-350A RF MOSFET LDMOS 48V

العلامة التجارية والطراز: أمبليون BLP9H10S-350A نوع الجهاز: ترانزستور طاقة Doherty غير متماثل، متطابق داخليًا، قناة LDMOS RF الحزمة: OMP780-4F-1 (حزمة السيراميك 7 دبوس، تبديد الحرارة العالية) نطاق التردد: 600 ميجا هرتز ~ 960 ميجا هرتز جهد الإمداد:...

C4H18W500A رف موسفيت 48 فولت

رقم الجزء: C4H18W500A الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: GaN (نيتريد الغاليوم)، ترانزستور طاقة Doherty غير المتماثل، 1800-2000 ميجاهرتز، طاقة ذروة 500 وات، مخصصة لتضخيم المرحلة النهائية للتردد الراديوي لمحطة قاعدة ماكرو 4G/5G. المواصفات الرئيسية...

BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

رقم الجزء: BLC9H10XS-606A الشركة المصنعة: امبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل مع مطابقة المدخلات المتكاملة، مُحسّن لمضخم الطاقة النهائي للمحطة الأساسية 4G/5G بتردد 1 جيجاهرتز. المواصفات...

BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

رقم الجزء: BLC10G22XS-570AVT الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: LDMOS، ترانزستور الطاقة Doherty RF غير المتماثل 30 فولت التطبيق: مضخم الطاقة النهائي لمحطة قاعدة ماكرو 4G/5G AAU وRRU، 2110～2180 ميجاهرتز (نطاقات n1/n3/B1/B3) المواصفات الرئيسية...

LDMOS BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET

رقم الجزء: BLC9H10XS-606A الشركة المصنعة: امبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل مع مطابقة المدخلات المتكاملة، مُحسّن لمضخم الطاقة النهائي للمحطة الأساسية 4G/5G بتردد 1 جيجاهرتز. المواصفات...

أمبليون BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

رقم الجزء: BLC9H10XS-606A الشركة المصنعة: امبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل مع مطابقة المدخلات المتكاملة، مُحسّن لمضخم الطاقة النهائي للمحطة الأساسية 4G/5G بتردد 1 جيجاهرتز. المواصفات...

BLM9D2022-08AMZ 2stage متكامل تمامًا من Doherty LDMOS MMIC

2-مرحلة دوهرتي MMIC LDMOS 2-stage Doherty MMIC المتكامل BLM9D2022-08AMZ عبارة عن مضخم طاقة Doherty LDMOS MMIC متكامل تمامًا على مرحلتين من Ampleon، تم تصنيعه باستخدام تقنية Gen9 LDMOS، مُحسّن لنطاق التردد 2110-2170 ميجاهرتز (على سبيل المثال، 5G...

B10G3438N55D B10G3438N55DZ الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

2-مرحلة دوهرتي MMIC الموديل: B10G3438N55D الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل العاشر 50 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF غير المتماثل المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.4-3.8 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي 5G NR n78 ونطاق 4G TDD-LTE...

BLM9D1819-08AMZ على مرحلتين Doherty MMIC متكاملة تمامًا

2-مرحلة دوهرتي MMIC رقم الجزء: BLM9D1819-08AMZ (يُشار إليه أيضًا باسم BLM9D1819-08AM؛ تشير اللاحقة Z إلى عبوة الشريط والبكرة) الشركة المصنعة: امبليون نوع الجهاز: الجيل التاسع من LDMOS، Doherty MMIC المتكامل بالكامل على مرحلتين التطبيق المستهدف: مضخم...

B10G2022N10DLZ 2stage 10W مدمج بالكامل Doherty MMIC

مرحلتين دوهرتي MMIC رقم الجزء: B10G2022N10DL الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: مرحلتين بقدرة 10 وات Doherty MMIC (LDMOS)، 2110–2170 ميجاهرتز (5G n1/4G B1)، مضخم نهائي صغير الخلية / mMIMO، حل عالي الكفاءة وتكامل عالي Ampleon. المواصفات الرئيسية...

BLC10G22XS-551AVT RF MOSFET LDMOS32V

ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G22XS-551AVT عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS عالي الأداء تم تصنيعه بواسطة Ampleon، وهو مُحسّن لتطبيقات المحطة الأساسية ومضخم طاقة التردد اللاسلكي متعدد الموجات الحاملة في نطاق التردد 2.2 جيجا هرتز. إنه موجود في حزمة...

BLC10G18XS-301AVT RF MOSFET LDMOS

طاقة عالية التردد/VHF LDMOS BLC10G18XS-301AVT عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل العاشر من السيليكون تم تصنيعه بواسطة Ampleon في هولندا. وهي تعتمد بنية مطابقة داخلية غير متماثلة من Doherty، تعمل بتردد 1805-1880 ميجاهرتز، ومتوافقة مع نطاقات...

BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G18XS-551AVT عبارة عن ترانزستور طاقة Doherty LDMOS غير متماثل من Ampleon، مُحسّن لمحطات قاعدة ماكرو 1805-1880 ميجا هرتز (1.8 جيجا هرتز) 4G / 5G ومكبرات طاقة التردد اللاسلكي متعددة الموجات. إنه موجود في حزمة SOT1258-4، وهو...

BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

ترانزستور الطاقة LDMOS BLC10G18XS-400AVT عبارة عن ترانزستور طاقة Doherty LDMOS غير متماثل من Ampleon، مُحسّن لمحطات قاعدة ماكرو 1805-1880 ميجا هرتز (1.8 جيجا هرتز) 4G / 5G ومكبرات طاقة التردد اللاسلكي متعددة الموجات. يتم وضعها في عبوة SOT1258-4...

BLC10G19XS-601AVTZ RF MOSFET LDMOS 30V

طاقة عالية التردد/VHF LDMOS رقم القطعة: BLC10G19XS-601AVT (اللاحقة Z/Y: BLC10G19XS-601AVTZ) الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: LDMOS، ترانزستور طاقة Doherty غير المتماثل، 1.93-1.995 جيجا هرتز، طاقة ذروة 650 وات، مخصصة لمحطة قاعدة ماكرو / تضخيم...

BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

ترانزستور الطاقة LDMOS BLC9G21LS-60AVZ عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF مزدوج القناة N يعتمد على تقنية Ampleon's Gen9 LDMOS، المُحسّن لمحطات قاعدة 4G / 5G بتردد 1805–2200 ميجاهرتز (1.8–2.2 جيجاهرتز)، وأنظمة اتصالات متعددة الموجات الحاملة،...

ترانزستورات RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

ترانزستور الطاقة LDMOS الموديل: BLC10G27XS-551AVT الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة Doherty غير المتماثل من الجيل العاشر بقدرة 28 فولت LDMOS، محسّن لتطبيقات تضخيم الطاقة في المرحلة النهائية لمحطة قاعدة الماكرو 2.62-2.69 جيجا هرتز 5G...

BLC10G16XS-600AVT RF MOSFET LDMOS 32V

طاقة عالية التردد/VHF LDMOS رقم الجزء: BLC10G16XS-600AVT الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: LDMOS، ترانزستور طاقة Doherty غير المتماثل، 1.427–1.518 جيجا هرتز، فئة 600 وات، مخصص لتضخيم المرحلة النهائية للتردد اللاسلكي لمحطة قاعدة الماكرو. المواصفات...