BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

الميزات الرئيسية

• أداء التردد اللاسلكي: يعمل عند 1805-2170 ميجاهرتز، ويوفر طاقة مشبعة بقدرة 50 وات (47 ديسيبل ميلي واط) P1dB مع كسب ≥28 ديسيبل، وجهد تصريف 28 فولت، وكفاءة نموذجية ≥45%، ويدعم خطية الموجات الحاملة المتعددة وخطية DPD بخطية ممتازة.
• التكامل العالي: يدمج بشكل كامل ترانزستورات الناقل/الذروة، ومقسم طاقة الإدخال، ومجمع طاقة الخرج، والدوائر المتحيزة، مما يتيح وظائف Doherty الكاملة في شريحة واحدة وتبسيط التصميم الخارجي.
• التحيز والحماية: التحيز المتكامل لتعويض درجة الحرارة مع التحكم المستقل في تحيز الناقل/الذروة؛ حماية مدمجة من ESD، وثبات حراري ممتاز، وتحمل عدم تطابق الحمل للحصول على موثوقية عالية.
• سهولة التصميم: مقاومة الإدخال/الإخراج البالغة 50 أوم تمنع المطابقة المعقدة؛ حزمة متوافقة مع التجميع الآلي للإنتاج الضخم، مثالية للخلايا الصغيرة وتصميمات PA المدمجة.

التطبيقات النموذجية

• مكبرات صوت المرحلة النهائية للخلايا الصغيرة 4G/5G (نطاق 1.8–2.17 جيجا هرتز)
• مضخمات تشغيل البنية التحتية اللاسلكية بتردد 1805–2170 ميجاهرتز
• أجهزة إرسال اتصالات متعددة الموجات الحاملة عالية الكفاءة وعالية الخطية
• وحدات مضخم طاقة RF مدمجة (نطاقات صناعية/ISM)