Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

العربية

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
العربية
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> ترانزستور طاقة الترددات اللاسلكية> 2-مرحلة دوهرتي MMIC> B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

أحصل على آخر سعر
أدني كمية الطلب:1
سمات المنتج

نموذجB11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

علامة تجاريةامبليون

التعبئة والتغليف والت...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

وصف المنتج
2-مرحلة دوهرتي MMIC
الموديل: B11G3742N81D
الشركة المصنعة: امبليون
نوع المنتج: الجيل الحادي عشر من LDMOS ثنائي القسم 28 فولت، 3 مراحل، مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.7-4.2 جيجا هرتز (يغطي نطاق 5G NR n77 عالي التردد) وتطبيقات الخلايا الصغيرة وبرامج التشغيل للأغراض العامة، مما يحقق توازنًا مثاليًا بين التكامل العالي والكفاءة مع تقنية LDMOS المتقدمة

المواصفات الرئيسية

Parameter Specification
Frequency Range 3700 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)
Peak Output Power 81W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (49.1dBm typical, up to 49.5dBm at 28V supply)
Typical Power Gain 32 dB (at 28V supply, 39dBm average output power, 4000MHz)
Typical Drain Efficiency 38% (at 9dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 4000MHz)
Supply Voltage 26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current 60 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type PQFN-12x7-36-1 (12×7mm), 36-pin leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture Dual-section 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 1.8 K/W (at PL=10W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 4200MHz), improving system robustness
Gain Flatness Only 0.6dB within 3700-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

الميزات والفوائد

  • يعتمد عملية LDMOS المتقدمة من الجيل الحادي عشر من Ampleon، مما يحقق التوازن بين طاقة الإخراج فائقة الجودة 81 وات وكفاءة عالية بنسبة 38%، وهو مثالي لإشارات PAPR المعدلة 5G للغاية (PAR = 9.9 ديسيبل).
  • توفر بنية Doherty المُحسّنة ذات القسم المزدوج والمتكاملة تمامًا والمكونة من 3 مراحل قدرة ممتازة على تصحيح التشوه الرقمي المسبق (DPD)، مما يضمن نسبة طاقة القناة المجاورة (ACPR) المتميزة التي تصل إلى -33 ديسيبل بعد DPD، مما يلبي متطلبات الخطية الصارمة لمحطات قاعدة الخلايا الصغيرة 5G.
  • يعمل التصميم المتكامل تمامًا (المقسم المدمج والمجمع ومراحل الشبكة وبرامج التشغيل المطابقة 50 أوم) على تبسيط تصميم RF PCB إلى حد كبير، وتسريع وقت طرح الخلايا الصغيرة في السوق وتقليل تكاليف النظام.
  • يتيح التحكم المستقل في انحياز الموجة الحاملة والذروة تحسينًا مرنًا للأداء الخطي والكفاءة في ظل ظروف تشغيل مختلفة، وهو مناسب لأنظمة الاتصالات متعددة المعايير (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).
  • تحمل ممتاز لعدم تطابق الأحمال، قادر على تحمل VSWR=10:1 خلال جميع المراحل، مما يؤدي إلى تحسين قوة النظام في البيئات المعقدة وتقليل تكاليف صيانة المحطة الأساسية.
  • تسطيح واسع للغاية (0.6 ديسيبل فقط ضمن نطاق 3700-4200 ميجاهرتز)، مناسب لأنظمة الاتصالات ذات النطاق العريض للغاية، مما يقلل الحاجة إلى دوائر معادلة خارجية وتحسين موثوقية النظام.
  • تعمل دائرة الحماية من التفريغ الكهروستاتيكي المتكاملة على تعزيز موثوقية الجهاز أثناء الإنتاج والتطبيق، مما يقلل من خطر التلف الكهروستاتيكي ويحسن إنتاجية المنتج.
  • حزمة PQFN المحسنة حراريًا مع مقاومة حرارية من الوصلة إلى الحالة تصل إلى 1.8 كيلو وات، مما يحسن أداء تبديد الحرارة بشكل فعال، ويطيل عمر خدمة الجهاز ويدعم تصميمات ذات كثافة طاقة أعلى.
  • يدعم تطبيقات عرض النطاق الترددي للفيديو (VBW) واسعة النطاق، ومناسبة لأنظمة الخلايا الصغيرة من الجيل التالي التي تدعم إشارات النطاق العريض، وتلبي احتياجات تطور شبكة 5G المستقبلية.
  • متوافق مع RoHS، ومناسب لإنشاء ونشر البنية التحتية العالمية للاتصالات 5G، مما يساهم في تطوير الاتصالات الخضراء.

التطبيقات

  • وحدات تضخيم الطاقة في المرحلة النهائية للتردد الراديوي لمحطات قاعدة الخلايا الصغيرة ذات النطاق 5G NR n77 (3.7-4.2 جيجا هرتز)، مما يدعم متطلبات الطاقة العالية والخطية العالية
  • مكبرات الصوت ذات الأغراض العامة لأنظمة الاتصالات التجميعية متعددة الموجات (CA)، وتلبية متطلبات إشارة النطاق العريض للغاية وزيادة سعة النظام
  • وحدات الواجهة الأمامية للتردد الراديوي لمحطات قاعدة الخلايا الصغيرة الضخمة MIMO (mMIMO)، تدعم كثافة الطاقة العالية ومتطلبات الكفاءة العالية، مما يقلل من استهلاك طاقة المحطة الأساسية
  • مشاريع ترقية وتجديد لمحطات 4G LTE المتطورة، المناسبة لنشر النطاق 3.7-4.2 جيجا هرتز، وتحسين تغطية الشبكة وسعتها
  • أنظمة نقل الترددات اللاسلكية لاتصالات الشبكات الخاصة وإنترنت الأشياء الصناعي (IIoT)، التي تتطلب تطبيقات ذات نطاق عريض وموثوقية عالية، وتدعم النشر في بيئة صناعية
  • وحدات تضخيم الطاقة لمعدات الاتصالات المتوافقة متعددة المعايير (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)، مما يقلل من تكاليف تطوير المعدات ويسرع وقت طرحها في السوق
  • مشاريع ترقية وتجديد البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية، خاصة لنشر شبكات 5G عالية التردد، مما يساعد المشغلين على نشر شبكات 5G بسرعة وتحسين تجربة المستخدم
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> ترانزستور طاقة الترددات اللاسلكية> 2-مرحلة دوهرتي MMIC> B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D مضخم طاقة الترددات اللاسلكية
ارسل السؤال
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

إرسال