BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ مضخم طاقة الترددات اللاسلكية

أحصل على آخر سعر

أدني كمية الطلب:

الآن الاتصال

وصف المنتج

سمات المنتج

التعبئة والتغليف والت...

وصف المنتج

سمات المنتج

نموذج: BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

علامة تجارية: امبليون

التعبئة والتغليف والت...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

وصف المنتج

BLM9D3842-16AM LDMOS 3 مراحل دوهرتي MMIC

الموديل: BLM9D3842-16AMZ

الشركة المصنعة: امبليون

نوع المنتج: الجيل التاسع 28 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.8-4.2 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي عالي التردد 5G NR n77) وتطبيقات الخلايا الصغيرة وبرامج التشغيل للأغراض العامة، مما يحقق توازنًا مثاليًا بين التكامل العالي والكفاءة مع تقنية LDMOS المتقدمةAmpleon

المواصفات الرئيسية

Parameter	Specification
Frequency Range	3800 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)Ampleon
Peak Output Power	16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42dBm typical, at 28V supply, pulsed CW measurement)Ampleon
Typical Power Gain	30.2 dB (at 28V supply, 32dBm average output power, 4000MHz, 1-carrier W-CDMA signal)Ampleon
Typical Drain Efficiency	28.5% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 4000MHz)Ampleon
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65VAmpleon
Quiescent Current	38 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)Ampleon
Package Type	LGA-7x7-20-2, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminalsAmpleon
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB designAmpleon
Architecture	3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stagesAmpleon
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)Ampleon
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 10.76 K/W (at PL=0.8W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB)Ampleon
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 28V supply, 3800MHz, CW signal), improving system robustnessAmpleon
Gain Flatness	Only 2.7dB within 3800-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systemsAmpleon
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliabilityAmpleon
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire bandAmpleon

الميزات والفوائد

يعتمد عملية LDMOS المتقدمة من الجيل التاسع من Ampleon، مما يحقق توازنًا بين طاقة الإخراج العالية 16 وات وكفاءة عالية 28.5%، مثالية لإشارات 5G عالية معدلة PAPR (PAR=7.2dB)Ampleon.
توفر بنية Doherty المُحسّنة والمتكاملة تمامًا والمكونة من 3 مراحل قدرة ممتازة على تصحيح التشوه الرقمي المسبق (DPD)، مما يضمن نسبة طاقة القناة المجاورة (ACPR) المتميزة التي تصل إلى -34.8 ديسيبل، وتلبية متطلبات الخطية الصارمة لمحطات قاعدة الخلايا الصغيرة 5G Ampleon.
يعمل التصميم المتكامل تمامًا (المقسم المدمج والمجمع ومراحل الشبكة وبرامج التشغيل المطابقة 50Ω) على تبسيط تصميم RF PCB إلى حد كبير، وتسريع وقت طرح الخلايا الصغيرة في السوق وتقليل تكاليف النظام Ampleon.
يتيح التحكم المستقل في انحياز الموجة الحاملة والذروة التحسين المرن للأداء الخطي والكفاءة في ظل ظروف تشغيل مختلفة، وهو مناسب لأنظمة الاتصالات متعددة المعايير (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) Ampleon.
تحمل ممتاز لعدم تطابق الحمل، قادر على تحمل VSWR=10:1 خلال جميع المراحل، مما يحسن قوة النظام في البيئات المعقدة ويقلل تكاليف صيانة المحطة الأساسيةAmpleon.
تسطيح واسع للغاية (2.7 ديسيبل فقط ضمن نطاق 3800-4200 ميجاهرتز)، مناسب لأنظمة الاتصالات ذات النطاق العريض للغاية، مما يقلل الحاجة إلى دوائر معادلة خارجية وتحسين موثوقية النظام أمبليون.
تعمل دائرة حماية ESD المدمجة (CDM 1000V، HBM 2000V) على تحسين موثوقية الجهاز أثناء الإنتاج والتطبيق، مما يقلل من خطر التلف الكهروستاتيكي وتحسين إنتاجية Ampleon.
حزمة LGA المحسنة حراريًا مع مقاومة حرارية من الوصلة إلى الحالة تصل إلى 10.76 كيلو وات، مما يحسن أداء تبديد الحرارة بشكل فعال، ويطيل عمر خدمة الجهاز ويدعم تصميمات كثافة طاقة أعلى أمبليون.
يدعم تطبيقات عرض النطاق الترددي للفيديو (VBW) واسعة النطاق، ومناسبة لأنظمة الخلايا الصغيرة من الجيل التالي التي تدعم إشارات النطاق العريض، وتلبي احتياجات تطور شبكة 5G المستقبلية من Ampleon.
متوافق مع RoHS، ومناسب لإنشاء البنية التحتية العالمية للاتصالات 5G ونشرها، مما يساهم في تطوير الاتصالات الخضراءAmpleon.

التطبيقات

وحدات تضخيم الطاقة في المرحلة النهائية للتردد الراديوي لمحطات قاعدة الخلايا الصغيرة ذات النطاق 5G NR n77 (3.8-4.2 جيجا هرتز)، مما يدعم متطلبات الطاقة العالية والخطية العاليةAmpleon
مكبرات الصوت ذات الأغراض العامة لأنظمة الاتصالات التجميعية متعددة الموجات (CA)، وتلبية متطلبات إشارة النطاق العريض للغاية وزيادة سعة النظامAmpleon
وحدات الواجهة الأمامية للترددات اللاسلكية لمحطات قاعدة الخلايا الصغيرة الضخمة MIMO (mMIMO)، تدعم كثافة الطاقة العالية ومتطلبات الكفاءة العالية، مما يقلل من استهلاك طاقة المحطة الأساسيةAmpleon
مشاريع ترقية وتجديد لمحطات 4G LTE المتطورة، المناسبة لنشر النطاق 3.8-4.2 جيجا هرتز، وتحسين تغطية الشبكة وسعتهاAmpleon
أنظمة نقل الترددات اللاسلكية لاتصالات الشبكات الخاصة وإنترنت الأشياء الصناعي (IIoT)، التي تتطلب تطبيقات النطاق العريض والموثوقية العالية، ودعم نشر البيئة الصناعيةAmpleon
وحدات تضخيم الطاقة لمعدات الاتصالات المتوافقة متعددة المعايير (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)، مما يقلل من تكاليف تطوير المعدات ويسرع وقت طرحها في السوقAmpleon
مشاريع ترقية وتجديد البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية، خاصة لنشر شبكات 5G عالية التردد، مما يساعد المشغلين على نشر شبكات 5G بسرعة وتحسين تجربة المستخدمAmpleon

المنتجات الساخنة