Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

العربية

WhatsApp:
+86 17287775445

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Select Language
العربية
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> ترانزستور طاقة الترددات اللاسلكية> 2-مرحلة دوهرتي MMIC
فئة المنتج

ارسل السؤال

2-مرحلة دوهرتي MMIC

(Total 37 Products)

  • ترانزستورات RF MOSFET BLM10D1822-61ABG

    ترانزستورات RF MOSFET BLM10D1822-61ABG

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM10D1822-61ABGZ BLM10D1822-61ABGY

    ترانزستورات RF MOSFET BLM10D1822-61ABG نطاق التردد 1800 إلى 2200 ميجا هرتز 1800to2200mhz رقاقة سائق النطاق العريض رقم الجزء: BLM10D1822-61ABG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل العاشر من LDMOS، MMIC طاقة خطية عالية مدمجة ثنائية القناة نطاق...

    الآن الاتصال
  • BLM2425M7S60PY LDMOS مرحلتين للطاقة MMIC

    BLM2425M7S60PY LDMOS مرحلتين للطاقة MMIC

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM2425M7S60P BLM2425M7S60PY

    BLM2425M7S60P عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF بقدرة 60 وات تم إطلاقه بواسطة Ampleon. اعتماد عملية الترددات اللاسلكية من الجيل M7، تم تطويره خصيصًا لتطبيقات الموجات المستمرة (CW) عالية الطاقة في نطاق 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز)....

    الآن الاتصال
  • BLM8G0710S-30PBG RF ترانزستور تأثير مجال الإشارة الصغيرة

    BLM8G0710S-30PBG RF ترانزستور تأثير مجال الإشارة الصغيرة

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM8G0710S-30PBG

    رقم الجزء: BLM8G0710S-30PBG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل الثامن من LDMOS، ثنائي القسم MMIC للطاقة بمرحلتين، 700-1000 ميجاهرتز فرعي 1 جيجاهرتز، محرك خطي عالي فئة 30 وات / مضخم نهائي صغير للخلية (إصدار رئيسي من جناح نورس BLM8G0710S-30PB)....

    الآن الاتصال
  • BLM9D2022-08AMZ 2stage متكامل تمامًا من Doherty LDMOS MMIC

    BLM9D2022-08AMZ 2stage متكامل تمامًا من Doherty LDMOS MMIC

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM9D2022-08AMZ

    2-مرحلة دوهرتي MMIC LDMOS 2-stage Doherty MMIC المتكامل BLM9D2022-08AMZ عبارة عن مضخم طاقة Doherty LDMOS MMIC متكامل تمامًا على مرحلتين من Ampleon، تم تصنيعه باستخدام تقنية Gen9 LDMOS، مُحسّن لنطاق التردد 2110-2170 ميجاهرتز (على سبيل المثال، 5G...

    الآن الاتصال
  • B10G3438N55D B10G3438N55DZ الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

    B10G3438N55D B10G3438N55DZ الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:B10G3438N55D B10G3438N55DZ

    2-مرحلة دوهرتي MMIC الموديل: B10G3438N55D الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: الجيل العاشر 50 فولت LDMOS 3 مراحل مضخم طاقة Doherty MMIC RF غير المتماثل المتكامل بالكامل، مُحسّن لنطاق 3.4-3.8 جيجا هرتز (يغطي النطاق الأساسي 5G NR n78 ونطاق 4G TDD-LTE...

    الآن الاتصال
  • BLM9D1819-08AMZ على مرحلتين Doherty MMIC متكاملة تمامًا

    BLM9D1819-08AMZ على مرحلتين Doherty MMIC متكاملة تمامًا

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM9D1819-08AMZ

    2-مرحلة دوهرتي MMIC رقم الجزء: BLM9D1819-08AMZ (يُشار إليه أيضًا باسم BLM9D1819-08AM؛ تشير اللاحقة Z إلى عبوة الشريط والبكرة) الشركة المصنعة: امبليون نوع الجهاز: الجيل التاسع من LDMOS، Doherty MMIC المتكامل بالكامل على مرحلتين التطبيق المستهدف: مضخم...

    الآن الاتصال
  • امبليون B11G3338N81DXZ موسفيت LDMOS

    امبليون B11G3338N81DXZ موسفيت LDMOS

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:B11G3338N81DXZ

    2-مرحلة دوهرتي MMIC رقم الجزء: B11G3338N81D الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: Doherty MMIC ثنائي القسم ثلاثي المراحل مدمج بالكامل، باستخدام تقنية LDMOS المتقدمة، مُحسّن لمكبرات الصوت ذات الخلايا الصغيرة/الماكرو 3.3-3.8 جيجا هرتز 5G. المواصفات...

    الآن الاتصال
  • B10G2022N10DLZ 2stage 10W مدمج بالكامل Doherty MMIC

    B10G2022N10DLZ 2stage 10W مدمج بالكامل Doherty MMIC

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:B10G2022N10DLZ

    مرحلتين دوهرتي MMIC رقم الجزء: B10G2022N10DL الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: مرحلتين بقدرة 10 وات Doherty MMIC (LDMOS)، 2110–2170 ميجاهرتز (5G n1/4G B1)، مضخم نهائي صغير الخلية / mMIMO، حل عالي الكفاءة وتكامل عالي Ampleon. المواصفات الرئيسية...

    الآن الاتصال
  • BLM9D1822-30B الجيل التاسع من LDMOS AMPLEON

    BLM9D1822-30B الجيل التاسع من LDMOS AMPLEON

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM9D1822-30B BLM9D1822-30BZ

    BLM9D1822-30BZ عبارة عن نظام Doherty MMIC مدمج من الجيل التاسع من LDMOS من الجيل التاسع من Ampleon (هولندا)، مُحسّن للخلايا الصغيرة 4G/5G، ومراحل تشغيل المحطة الأساسية الكلية، وتضخيم الترددات اللاسلكية العامة في النطاق 1.8-2.2 جيجا هرتز. إنه يوفر...

    الآن الاتصال
  • BLM8G0710S-15PB مرحلتين طاقة قسم مزدوج MMIC

    BLM8G0710S-15PB مرحلتين طاقة قسم مزدوج MMIC

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM8G0710S-15PB

    رقم الجزء: BLM8G0710S-15PB الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل الثامن من LDMOS، مرحلتين / ثنائي القسم للطاقة MMIC، 700-1000 ميجاهرتز فرعي 1 جيجاهرتز، محرك للأغراض العامة فئة 15 وات / مضخم نهائي للخلية الصغيرة. المواصفات الرئيسية (Tcase=25°C،...

    الآن الاتصال
  • B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

    B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:B11G1822N60DXZ B11G1822N60DYZ

    رقم الجزء: B11G1822N60D الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: LDMOS، ثنائي القسم ثنائي المرحلة مدمج بالكامل Doherty MMIC، 1.8-2.2 جيجا هرتز، طاقة خطية 60 وات، محطة قاعدة ماكرو / 5G mMIMO مضخم تشغيل للأغراض العامةAmpleon. المواصفات الرئيسية...

    الآن الاتصال
  • B10G2327N55DZ الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

    B10G2327N55DZ الترددات اللاسلكية MOSFET LDMOS

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:B10G2327N55DZ B10G2327N55D

    B10G2327N55D عبارة عن مضخم صوت Doherty MMIC غير متماثل متكامل تمامًا على مرحلتين يعتمد على تقنية LDMOS الحديثة من Ampleon، مُحسّن لمحطات قاعدة 5G NR/LTE متعددة النطاقات 2300–2700 ميجاهرتز (2.3–2.7 جيجاهرتز)، وأنظمة MIMO الضخمة، وأجهزة إرسال الترددات...

    الآن الاتصال
  • BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

    BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

    أحصل على آخر سعر

    علامة تجارية:امبليون

    أدني كمية الطلب:1

    Model No:BLM8D1822S-50PB BLM8D1822S-50PBG BLM8D1822S-50PBGY

    BLM8D1822S-50PBG عبارة عن مضخم طاقة Doherty MMIC متكامل تمامًا على مرحلتين يعتمد على تقنية Ampleon's GEN8 LDMOS، المُحسّن للخلايا الصغيرة 1805-2170 ميجا هرتز (1.8-2.17 جيجا هرتز) 4G/5G، ومحركات الأغراض العامة، ومكبرات الصوت للمرحلة النهائية...

    الآن الاتصال

الخطوة 1

2-مرحلة دوهرتي MMIC

2-Stage Doherty MMIC عبارة عن دائرة متجانسة متكاملة تعمل بالموجات الدقيقة تعتمد تضخيمًا على مرحلتين جنبًا إلى جنب مع بنية Doherty. إنها تحقق كفاءة عالية مع الحفاظ على خطية ممتازة عبر نطاق طاقة واسع. يعمل تصميم الرقاقة المدمجة على تبسيط تخطيط الدائرة وتقليل تكلفة تجميع النظام.
يرجى ترك لنا رسالة
سوف نتصل بك
إرسال الاستفسار الآن
قائمة المنتجات ذات الصلة
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> ترانزستور طاقة الترددات اللاسلكية> 2-مرحلة دوهرتي MMIC
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
WhatsApp:
+86 17287775445
الالكتروني:
870630590@qq.com
الموقع:
http://ar.ldmoscn.com
حق النشر © 2026 Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.حق الطبعة الملكية
يرجى تركنا رسالة

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

تحميل المرفق
إرسال