BLC10G22XS-603AVT RF MOSFET LDMOS 30V

المواصفات الرئيسية (Tcase=25 درجة مئوية، VDS=30V، إشارة 5G NR/W-CDMA)

• نطاق التردد: 2.11 جيجا هرتز ~ 2.17 جيجا هرتز (نطاقات 5G الرئيسية مثل n1/n3)
• جهد إمداد التصريف (VDS): 30 فولت (النوع)، بحد أقصى 65 فولت
• تيار هادئ (IDq): 1150 مللي أمبير (الأمبير الرئيسي، النوع)
• متوسط ​​طاقة الخرج (PL(AV))):110-118 واط (50.4-50.7 ديسيبل ميلي واط)
• ذروة طاقة الخرج (PL(M))):600-650 واط (النوع 600 واط)
• اكتساب الطاقة (Gp): 15.4 ديسيبل (النوع)
• كفاءة التصريف (ηD): 47.5% (النوع)
• نسبة طاقة القناة المجاورة (ACPR): −31 ديسيبل (النوع، ≥−50 ديسيبل بعد الخطية)
• فقدان إرجاع الإدخال (RLin): −15 ديسيبل (النوع)
• الحزمة: SOT1258-4 (6 الرصاص، ذات حواف بدون أذن، بلاستيك تجويف الهواء)
• المقاومة الحرارية (الوصلة إلى العلبة): 0.17-0.19 ك/وات (عند تبديد طاقة 110-140 وات)
• الميزات: مطابقة مسبقة داخلية، تأثيرات ذاكرة منخفضة، تحمل عالي لعدم التطابق (VSWR=10:1)، سعة خرج منخفضة، حماية من التفريغ الكهروستاتيكي، صلابة عالية

الميزات الرئيسية

• بنية Doherty غير المتماثلة: مسار مزدوج رئيسي + ذروة مدمج، مُحسّن لإشارات PAPR عالية 5G، وتحقيق التوازن بين الكفاءة العالية والخطية العالية؛
• كثافة طاقة عالية: طاقة ذروة 600 وات، كسب 15.4 ديسيبل، تلبي متطلبات التغطية عالية الطاقة لمحطات قاعدة الماكرو في نطاق 2.1 جيجا هرتز؛
• تصميم تأثيرات الذاكرة المنخفضة: خصائص غير خطية محسنة، وقدرة خطية قوية لـ DPD، ومناسبة لسيناريوهات 5G متعددة الموجات الحاملة وسيناريوهات MIMO الضخمة؛
• أداء حراري ممتاز: مقاومة حرارية منخفضة للغاية (0.17 كيلو/وات) لتحقيق كفاءة عالية في تبديد الحرارة، ودعم التشغيل المستمر عالي الطاقة على المدى الطويل؛
• المطابقة المسبقة الداخلية ： تبسيط دوائر المطابقة الخارجية وتقصير دورات التصميم وتقليل تكلفة قائمة مكونات الصنف ；
• متانة عالية: يتحمل عدم تطابق الحمل على جميع المراحل وتداخل ضوضاء النطاق العريض مع VSWR=10:1 لتشغيل مستقر على المدى الطويل؛
• متوافقة مع RoHS: خالية من الرصاص، وصديقة للبيئة.

التطبيقات النموذجية

• مضخم نهائي للمحطة الأساسية 5G (2.11-2.17 جيجا هرتز، نطاقات n1/n3)؛
• تضخيم الترددات اللاسلكية متعدد الموجات الحاملة 4G LTE/5G NR؛
• قنوات إرسال محطة قاعدة RF عالية الطاقة ；
• استبدال LDMOS القديم (على سبيل المثال، BLC10G22XS-400AVT) للحصول على طاقة وكفاءة أعلى.

تعريف رقم الجزء

• BLC: سلسلة B، LDMOS، ترانزستور الطاقة دوهرتي
• 10G: عملية LDMOS من الجيل العاشر، تطبيق المحطة الأساسية العامة
• النطاق 22:2.1-2.2 جيجا هرتز (2.11-2.17 جيجا هرتز)
• XS: حزمة ذات حواف بدون أذن، كثافة طاقة عالية
• 603: تصنيف طاقة من فئة 600 واط (ذروة 600 واط)
• AVT: Doherty غير المتماثل، حزمة بلاستيكية ذات تجويف هوائي، الإصدار القياسي (Z/Y = دفعة/لاحقة بيئية)