BLC10G19XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

المواصفات الرئيسية

• الشركة المصنعة: امبليون
• رقم القطعة: BLC10G19XS-600AVT
• نطاق التردد: 1930 ~ 1995 ميجا هرتز (5G NR n1/n3، متوافق مع LTE Band1)
• طاقة الخرج المشبعة النموذجية: 600 واط (جهاز واحد)
• كسب الطاقة: 15.5 ديسيبل نموذجي (مصدر 30 فولت)
• كفاءة التصريف: 50% نموذجي (وضع دوهرتي)
• جهد الإمداد: 30 فولت (يوصى بـ 28-32 فولت)
• تيار هادئ: 1060 مللي أمبير (المسار الرئيسي)
• العبوة: SOT1258-4 (بلاستيك ذو تجويف هوائي، تصميم حراري عالي الطاقة)
• التكنولوجيا: الجيل العاشر من السيليكون LDMOS (GEN10 LDMOS)
• الحالة: قيد الإنتاج (متوافق مع RoHS)

سمات

1. تقنية LDMOS من الجيل العاشر، طاقة فائقة تبلغ 600 واط مع مسارات ناقلة/ذروة محسنة لتشغيل Doherty غير المتماثل
2. تغطية واسعة النطاق من 1.93 جيجا إلى 1.995 جيجا، تدعم معايير LTE/5G NR المتعددة لمحطات قاعدة الماكرو
3. خطية ممتازة، وتأثير ذاكرة منخفض، وDPD جاهز للخطية المثالية وACPR الفائق
4. مطابقة مسبقة مدمجة للإدخال/الإخراج، متوافقة مع 50 أوم، الحد الأدنى من BOM، بدون ضبط معقد
5. مقاومة حرارية منخفضة، ثبات حراري ممتاز، 10:1 VSWR لموثوقية عالية
6. حماية متكاملة من ESD، متوافقة مع RoHS، درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية～+125 درجة مئوية

التطبيقات

• محطة قاعدة ماكرو 4G/5G ومكبرات الصوت النهائية عالية الطاقة mMIMO
• تضخيم التردد اللاسلكي عالي الطاقة للبنية التحتية اللاسلكية بتردد 1.93-1.995 جيجا هرتز
• وحدات مضخم صوت Doherty عالية الكفاءة، وأجهزة إرسال RF مدمجة عالية الطاقة
• مراحل المحرك عالية الطاقة للمحطة الأساسية (التضخيم المسبق للترانزستورات النهائية)