BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

أحصل على آخر سعر

أدني كمية الطلب:

الآن الاتصال

وصف المنتج

سمات المنتج

التعبئة والتغليف والت...

وصف المنتج

سمات المنتج

نموذج: BLC8G21LS-160AVZ BLC8G21LS-160AVY

علامة تجارية: امبليون

التعبئة والتغليف والت...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

وصف المنتج

BLC8G21LS-160AVZ عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF مزدوج القناة N يعتمد على تقنية Ampleon's Gen8 LDMOS، وهو مُحسّن لمحطات قاعدة 4G / 5G من 1805 إلى 2025 ميجاهرتز (1.8–2.025 جيجاهرتز)، وأنظمة اتصالات متعددة الموجات الحاملة، ومضخمات طاقة Doherty عالية الكفاءة. يوجد في حزمة SOT1275-1 (DFM-6/7-pin Base Mount)، ويتميز بقدرة عالية، وكسب عالي، وخطية عالية، وموثوقية عالية، ومتوافق مع بنيات Doherty المتماثلة/غير المتماثلة.

الميزات الرئيسية

أداء التردد اللاسلكي: يعمل عند 1805-2025 ميجاهرتز، ويوفر طاقة خرج نموذجية 160 وات مع كسب نموذجي ≥15 ديسيبل، وجهد تصريف 65 فولت (جهد اختبار 28 فولت)، ويدعم الخطية متعددة الموجات وخطية DPD، وهو مثالي لمتطلبات الخطية الصارمة لمحطة قاعدة 4G/5G.
الهيكل والحزمة: تكوين المصدر المشترك للترانزستور المزدوج، حزمة التركيب الأساسية SOT1275-1 (DFM-6) مع أداء حراري ممتاز لتصميمات كثافة الطاقة العالية؛ تعمل شبكة مطابقة المدخلات المتكاملة على تبسيط الدوائر الخارجية.
الموثوقية والحماية: حماية ESD مدمجة، تتحمل درجة حرارة التوصيل العالية وعدم تطابق الحمل، وتعزز دبابيس الفصل أداء عرض النطاق الترددي للفيديو، وثبات حراري ممتاز، ومتوافقة مع RoHS.
توافق التصميم: يدعم أوضاع الموجة المستمرة (CW) والنبض، المتوافقة مع دوائر Doherty المتماثلة/غير المتماثلة، ومناسبة لمكبرات الصوت في المرحلة النهائية لمحطة النطاق 1.8 جيجا هرتز/2.1 جيجا هرتز.

التطبيقات النموذجية

مضخمات المرحلة النهائية للتردد الراديوي للمحطة الأساسية 4G/5G (نطاق 1805–2025 ميجاهرتز)
وحدات تضخيم الطاقة Doherty عالية الكفاءة لأنظمة الاتصالات متعددة الموجات
البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية بنطاق 1.8 جيجا هرتز/2.0 جيجا هرتز
أجهزة الإرسال التلفزيونية وتطبيقات الترددات اللاسلكية الصناعية

المنتجات الساخنة