BLC9G22LS-160VTZ RF MOSFET LDMOS

الميزات الرئيسية

• أداء التردد اللاسلكي: يعمل بسرعة 2000-2500 ميجا هرتز، ويوفر طاقة خرج نموذجية 160 وات مع كسب ≥13 ديسيبل، وجهد تصريف 65 فولت، ومناسب للتضخيم متعدد الموجات الحاملة في نطاق 2.2 جيجا هرتز.
• الهيكل والحزمة: تقنية LDMOS القائمة على السيليكون، حزمة SOT1271-2 (معدن تجويف الهواء ذو ​​7 سنون) مع تبديد حرارة ممتاز، مثالية لتصميمات كثافة الطاقة العالية.
• الموثوقية والامتثال: متوافق مع RoHS، ويقاوم درجة حرارة الوصلات العالية وعدم تطابق الحمل، وحماية متكاملة من ESD لتشغيل مستقر على المدى الطويل.
• توافق التصميم: مطابق داخليًا مسبقًا لتبسيط تصميم الدوائر، ويدعم أوضاع الموجة المستمرة (CW) والنبض، ويتوافق مع مختلف بنيات مضخم طاقة التردد اللاسلكي.

التطبيقات النموذجية

• مضخمات طاقة RF للمحطة الأساسية 4G/5G في نطاق 2.2 جيجا هرتز
• وحدات تضخيم الطاقة لأجهزة الإرسال التلفزيونية
• مصادر الترددات اللاسلكية ذات النطاق الصناعي والعلمي والطبي (ISM).
• البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية 2000-2500 ميجاهرتز