BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

الميزات الرئيسية

• أداء التردد اللاسلكي: يعمل عند 1805-1880 ميجاهرتز، ويوفر طاقة ذروة تبلغ 400 وات / متوسط ​​طاقة 56 وات مع كسب ≥16.5 ديسيبل، وكفاءة نموذجية بنسبة 49% عند 28 فولت / 49.5% عند 32 فولت، ودعم الموجات الحاملة المتعددة وخطية DPD.
• Doherty-Optimized: تعمل سعة الإخراج المنخفضة على تعزيز خطية مكبر الصوت Doherty وفقدان الإرجاع؛ يتيح تأثير الذاكرة المنخفضة قدرة DPD قوية مع الحد الأدنى من تشويه الإشارة (ACPR≥-29.5dBc).
• الحرارية والموثوقية: مقاومة حرارية منخفضة لتبديد الحرارة بشكل ممتاز وتحمل درجة حرارة عالية للوصلات؛ حماية متكاملة من التفريغ الكهروستاتيكي؛ متوافق مع RoHS، ويقاوم عدم تطابق الحمل VSWR=10:1 لضمان تشغيل قوي.
• سهولة التصميم: تم المطابقة داخليًا مسبقًا بـ 50Ω لتبسيط الدوائر وتقليل وقت الضبط؛ حزمة SOT1258-4 متوافقة مع التجميع الآلي.

التطبيقات النموذجية

• مضخمات طاقة RF للمحطة الأساسية 4G/5G في نطاق 1.8 جيجا هرتز
• أجهزة إرسال نظام الاتصالات متعددة الموجات
• البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية 1805-1880 ميجا هرتز