جميع المنتجات

مكثف عازل سيراميك ذو طاقة عالية التردد

DLC70L عبارة عن مكثف سيراميكي يعمل بالميكروويف عالي الطاقة DLC70L مكثف عازل سيراميك عالي التردد يتميز بعامل Q العالي، وESR وESL منخفضين، وضوضاء منخفضة وموثوقية عالية، ويمكن لهذا المنتج أن يتحمل تيار RF العالي، والجهد والطاقة. يتم تطبيقه على نطاق...

مكثف RF منخفض للغاية ESR 500 فولت DLC75B0R4BW501XT

DLC75B0R4BW501XT عبارة عن مكثف منخفض جدًا ESR RF / ميكروويف DLC75B0R4BW501XT عبارة عن مكثف منخفض للغاية ESR RF بجهد 500 فولت، مصمم لدوائر التردد اللاسلكي والدوائر عالية التردد. إنه يوفر استقرارًا وموثوقية وكفاءة استثنائية، وهو مثالي للاتصالات...

مكثف الترددات اللاسلكية ذات النطاق العريض عالي الأداء

0201BB هو مكثف سيراميكي واسع النطاق للميكروويف 0201BB(.020"x.010")0201BB103KW250 مكثف النطاق العريض ميزات المنتج نطاق تردد التشغيل النموذجي: 16 كيلو هرتز (-3cB) إلى> 32 جيجا هرتز فقدان الإدراج: <1 ديسيبل (القيمة النموذجية): 25WVDC؛...

مكثف عازل للترددات اللاسلكية عالي الأداء ومنخفض للغاية ESR

DLC60H عبارة عن ESR منخفض جدًا وعالي Q RF MLCC DLC6OH منخفض جدًا ESR، مكثف عازل سيراميكي للترددات اللاسلكية/الميكروويف جدول السعة DLC6OH رقم المكون نوع وحجم نهاية DLC60H صناديق أدوات التصميم تقدم Dalykapp مجموعة متنوعة من صناديق أدوات التصميم، وتلبي...

مكثف عازل سيراميكي منخفض للغاية ESR، RF/MW

DLC75D عبارة عن جهاز ESR منخفض للغاية وعالي Q RF MLCC مكثف عازل سيراميكي منخفض للغاية ESR، RF/MW DLC75D(0805) لتحقيق الأداء المثالي للتردد الراديوي والميكروويف، يعد المكثف الخزفي DLC75D ذو معدل ESR المنخفض للغاية هو الحل الأمثل لك. بفضل مقاومة...

مكثفات سيراميك RF منخفضة للغاية ESR لتطبيقات الميكروويف

DLC75H عبارة عن ESR منخفض جدًا وعالي Q RF MLCC مكثفات ESR منخفضة للغاية، ومكثفات عازلة من السيراميك للترددات اللاسلكية/الميكروويف DLC75P(0603) تم تصميم المكثف الخزفي DLC75P RF/الميكروويف من أجل ESR المنخفض للغاية، مما يوفر أداءً لا مثيل له في...

مكثفات ESR منخفضة للغاية، ومكثفات عازلة من السيراميك للترددات اللاسلكية/الميكروويف

DLC75H عبارة عن ESR منخفض جدًا وعالي Q RF MLCC DLC75H مكثف عازل سيراميكي منخفض للغاية ESR، RF/ميكروويف DLC75H(0402) DLC75H عبارة عن مكثف سيراميكي منخفض للغاية ESR RF/ميكروويف مصمم لتحقيق الأداء النهائي. يتميز بقيمة Q عالية، ومعالجة استثنائية لتيار...

ESR منخفض للغاية، مكثف عازل سيراميكي للترددات اللاسلكية/الميكروويف

DLC75N عبارة عن ESR منخفض جدًا وعالي Q RF MLCC DLC75N، مكثف عازل سيراميكي منخفض للغاية ESR، RF/ميكروويف DLC75N(0201) جدول السعة DLC75N رقم المكون نوع وحجم الغطاء النهائي DLC75N الأداء الكهربائي تجربة بيئية منحنى أداء DLC75N على منحنى S21 للمكثف،...

ESR منخفض جدًا، مكثف عازل سيراميكي للميكروويف

DLC75 عبارة عن ESR منخفض جدًا وعالي Q RF MLCC سلسلة DLC75 مكثفات عازلة سيراميكية منخفضة للغاية ESR للميكروويف ميزات المنتج قيمة ESR منخفضة للغاية، جهد تشغيل عالي، طاقة FF عالية، تردد رنين ذاتي عالي. تطبيقات المنتج تطبيقات الدوائر: شبكة ترشيح عالية...

B11G2327N71DYZ RF MOSFET LDMOS

B11G2327N71D عبارة عن نظام Doherty MMIC متكامل من LDMOS على مرحلتين الموديل: B11G2327N71DYZ (الطراز الأساسي: B11G2327N71D) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: مضخم طاقة LDMOS ذو مرحلتين متكامل من دوهرتي متجانسة الميكروويف (MMIC) (الناقل المستقل...

BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS

BLM10D1822-60ABG LDMOS مرحلتين مدمجتين من Doherty MMIC BLM10D1822-60ABGZ هو الجيل العاشر من LDMOS ثنائي المرحلة والمتكامل بالكامل من Doherty MMIC من Ampleon، ويعمل على تردد 1800～2200 ميجاهرتز. مُحسّنة لمحطات قاعدة ماكرو 4G/5G ومراحل mMIMO...

C4H24F550AVZ ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم RF

ترانزستور الطاقة C4H24F550AVZ GaN الموديل: C4H24F550AV (رقم الجزء الكامل: C4H24F550AVY) الشركة المصنعة: امبليون نوع المنتج: ترانزستور طاقة RF من نتريد الغاليوم (GaN) (هندسة دوهرتي غير المتماثلة) المواصفات الرئيسية الميزات والفوائد تصميم Doherty...

BLP15H9S100Z BLP15H9S100 أمبليون LDMOS

BLP15H9S100Z ترانزستور الطاقة LDMOS ترانزستور طاقة LDMOS RF أصلي واسع النطاق بقدرة 100 وات من Ampleon. نطاق التردد: 10 كيلو هرتز إلى 2 جيجا هرتز، تغطية كاملة النطاق من HF إلى UHFAmpleon. الفولطية المقدرة: 50 فولت، مما يوفر اكتسابًا عاليًا للطاقة...

مكثف سيراميكي متعدد الأقطاب أحادي الطبقة

مكثف سيراميك أحادي الطبقة متعدد الأقطاب من سلسلة SP تطبيق المنتج يتم تطبيقه على الشبكات المطابقة، ودوائر الرنين المتوازية، وضبط وربط الرنانات العازلة عند ترددات الراديو/موجات الميكروويف. ميزات مكثف طبقة واحدة الأبعاد الهندسية صغيرة، ومناسبة لدوائر...

BLM9D1920-08AMZ دوهرتي LDMOS MMIC

2-مرحلة دوهرتي MMIC نطاق التردد 1880 إلى 2025 ميجا هرتز 8 واط متوسط ​​انتاج الطاقة احصل على 26.8 ديسيبل من جهد الإمداد 28 فولت 1. نظرة عامة على المنتج رقم الجزء: BLM9D1920-08AMZ الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل التاسع من LDMOS من الجيل...

ترانزستورات RF MOSFET BLM10D1822-61ABG

ترانزستورات RF MOSFET BLM10D1822-61ABG نطاق التردد 1800 إلى 2200 ميجا هرتز 1800to2200mhz رقاقة سائق النطاق العريض رقم الجزء: BLM10D1822-61ABG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل العاشر من LDMOS، MMIC طاقة خطية عالية مدمجة ثنائية القناة نطاق...

مكثفات سيراميك أحادية الطبقة مثبتة على السطح من سلسلة SS

مكثف طبقة واحدة مكثفات سيراميك أحادية الطبقة مثبتة على السطح من سلسلة SS تعتمد المكثفات الخزفية أحادية الطبقة المثبتة على السطح من سلسلة SS بنية SMD مدمجة، وتتميز بـ ESL منخفض للغاية، وفقدان إدخال منخفض وأداء متميز عالي التردد للنطاق العريض يصل إلى...

مكثف عازل سيراميكي ذو طبقة واحدة

مكثف طبقة واحدة مكثف عازل سيراميكي أحادي الطبقة من سلسلة SA تطبيق المنتج يتم تطبيقه في دوائر الفصل، ودوائر تجاوز التردد اللاسلكي، ودوائر حجب التيار المستمر، وما إلى ذلك عند ترددات الراديو/الميكروويف. ميزات المنتج تركيب بسيط، يوفر المساحة، ويتكامل في...

BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

رقم الجزء: BLC9H10XS-600A الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل، مع مطابقة مدخلات 50Ω مدمجة، مُحسّن لمكبرات الصوت النهائية لمحطة قاعدة الماكرو 4G/5G دون 1 جيجاهرتز...

BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

رقم الجزء: BLC9H10XS-60PY الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل التاسع من LDMOS، ترانزستور طاقة متماثل 60 وات، 400-1000 ميجاهرتز فرعي 1 جيجاهرتز، مضخم خطي من الفئة AB، مرحلة نهائية متوسطة الطاقة للأغراض العامة/السائق (نسخة خالية من الرصاص من...

ترانزستورات RF MOSFET BLM9H0610S-60PG

رقم الجزء: BLM9H0610S-60PG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: LDMOS من الجيل التاسع عالي الجهد، MMIC طاقة ثنائي المرحلة، مع مطابقة على الرقاقة، مُحسّن لمشغل المحطة الأساسية الماكرو 4G/5G بتردد فرعي 1 جيجاهرتز أو مضخم الصوت النهائي للخلية الصغيرة....

BLM2425M7S60PY LDMOS مرحلتين للطاقة MMIC

BLM2425M7S60P عبارة عن ترانزستور طاقة LDMOS RF بقدرة 60 وات تم إطلاقه بواسطة Ampleon. اعتماد عملية الترددات اللاسلكية من الجيل M7، تم تطويره خصيصًا لتطبيقات الموجات المستمرة (CW) عالية الطاقة في نطاق 2400-2500 ميجا هرتز (نطاق ISM 2.45 جيجا هرتز)....

BLM8G0710S-30PBG RF ترانزستور تأثير مجال الإشارة الصغيرة

رقم الجزء: BLM8G0710S-30PBG الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: الجيل الثامن من LDMOS، ثنائي القسم MMIC للطاقة بمرحلتين، 700-1000 ميجاهرتز فرعي 1 جيجاهرتز، محرك خطي عالي فئة 30 وات / مضخم نهائي صغير للخلية (إصدار رئيسي من جناح نورس BLM8G0710S-30PB)....

BLC9H10XS-505AZ RF MOSFET LDMOS

رقم الجزء: BLC9H10XS-505AZ الشركة المصنعة: أمبليون نوع الجهاز: ترانزستور طاقة LDMOS RF من الجيل التاسع بقدرة 48 فولت، تصميم Doherty غير متماثل، مع مطابقة مدخلات 50Ω مدمجة، مُحسّن لمضخم الصوت النهائي لمحطة قاعدة ماكرو فرعية 1 جيجا هرتز 4G/5G...