BLC10G22XS-551AVT RF MOSFET LDMOS32V

الميزات الرئيسية

• أداء عالي التردد : يعمل بسرعة 2110-2180 ميجاهرتز، ويوفر طاقة خرج 550 وات مع زيادة طاقة ≥15 ديسيبل وكفاءة 65%، مثالي لمحطات قاعدة الخلايا الكبيرة والصغيرة 4G/5G.
• خسارة منخفضة واستقرار عالي : مقاومة حرارية منخفضة لتبديد الحرارة بشكل فائق؛ تعمل سعة الخرج المنخفضة على تعزيز خطية مكبر الصوت دوهرتي؛ يتيح تأثير الذاكرة المنخفضة قدرة ممتازة على التشويه الرقمي المسبق (DPD).
• سهولة الاستخدام والموثوقية : متوافق داخليًا مع تصميم الدوائر المبسط؛ حماية متكاملة من ESD لتعزيز المتانة؛ متوافق مع RoHS، ويقاوم عدم تطابق الحمل حتى VSWR=10:1 لتشغيل قوي.

التطبيقات النموذجية

• مضخمات طاقة RF للمحطة الأساسية 4G/5G
• أجهزة إرسال نظام الاتصالات متعددة الموجات
• البنية التحتية للاتصالات اللاسلكية 2.2 جيجا هرتز